Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
3

Effect of InGaN underneath layer on MOVPE-grown InGaN/GaN blue LEDs

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 620 KB
english, 2008
10

Light Emitting Diode with Charge Asymmetric Resonance Tunneling

Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 99 KB
english, 2000
14

MOCVD growth of GaN islands by multistep nucleation layer technique

Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 366 KB
english, 2005
17

Effect of growth conditions on electrical properties of Mg-doped p-GaN

Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 137 KB
english, 2007
25

Threading dislocation density reduction in two-stage growth of GaN layers

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 216 KB
english, 2006
31

Potential and limitations of the 210 °C TL peak in quartz for retrospective dosimetry

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 457 KB
english, 2011
33

Modelling and optimization of electric current spreading in III-nitride LEDs

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 400 KB
english, 2012
39

Optical confinement and threshold currents in III–V nitride heterostructures: Simulation

Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 408 KB
english, 1997
41

Non-equilibrium grain boundaries with excess energy in graphene

Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 715 KB
english, 2015
49

HVPE Growth of GaN Layers on Cleaved β-Ga2O3 Substrates

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.03 MB
english, 2016
50

Conversion in transitional economies: The case of the former USSR and Russia

Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.15 MB
english, 1994